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勤務形態 派遣社員
仕事内容 ◇業務内容
▼【配属工程】(主な配属先、その他工程あり)

? Dry Etching工程?ガスをプラズマ化して生成されたイオンやラジカルを使って、物質表面を加工します。真空環境下で行われるため微細な加工が可能で、特に半導体製造において、回路の微細化や高集積化を実現するために不可欠な技術です。化学的な反応と物理的な剥離を組み合わせることで、高い精度でマスクパターンに忠実な加工ができます。?

?Probe工程?「プローブ工程」とは、一般的に半導体製造におけるウェーハの電気的特性を検査する工程を指します。プローバという装置でウェーハ上の多数のチップにプローブカードの針を接触させ、各チップの良否を判定します。

?Diff工程?半導体であるシリコンウェーハに、ボロンやリンなどの不純物を熱やイオン注入によって添加し、半導体の電気的特性を制御する技術です。具体的には、不純物原子がウェーハ内部に移動して広がる現象を利用し、N型やP型のシリコン層を作り出して、半導体デバイスの基本構造となるp-n接合を形成します。
※引継ぎ実施のため15分早出があります。

?Implant工程?半導体インプラント(イオン注入、イオン打ち込み、イオンドーピングとも呼ばれる)とは、半導体の電気的特性を制御するために必要な不純物原子(ドーパント)をイオン化し、高電圧で加速してシリコンウェハなどの材料に打ち込む製造工程です。この工程により、半導体デバイスの機能に必須となるP型やN型領域が形成され、精密な半導体デバイスの製造工程。
※その他工程もありますが、当社社員が多く配属している工程になります。

▼装置テクニシャン
装置の改善・点検・メンテナンスを行い、効率化や正常稼働をサポートします。無駄な材料やコスト削減も担当。


研修充実で安心デビュー!相談・質問が得意な方が活躍できる職場です!

生産品目:DRAM、NANDフラッシュメモリ
都道府県 広島県
市区郡 東広島市
試用期間 条件変更なし
勤務時間 勤務備考をご確認下さい
月収 229018万円~229018万円
休日・休暇 その他
勤務時間備考 08:00~20:15/20:00~08:15/08:00~17:00
求める人材 0
待遇・福利厚生 夜間手当,残業手当,社宅・社員寮,通勤手当
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※本求人は日本キャリアグループ株式会社の求人です。
応募は様への直接応募ではございませんので、予めご了承ください。

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